| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
|---|---|
| FET ტიპი | P-Channel |
| ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 12V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 1.2A (Ta) |
| წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 4V |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 800mA, 4V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1.3V @ 1mA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | - |
| Vgs (მაქს) | ±15V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | - |
| FET ფუნქცია | Schottky Diode (Isolated) |
| ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 600mW (Ta) |
| ოპერაციული ტემპერატურა | 125°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | Mini5-G1 |
| პაკეტი / კორპუსი | SC-74A, SOT-753 |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
