| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| ორიენტირებული კონფიგურაცია | High-Side or Low-Side |
| არხის ტიპი | Independent |
| დრაივერების რაოდენობა | 2 |
| კარიბჭის ტიპი | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| ძაბვა - მიწოდება | 10V ~ 20V |
| ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH | 1.2V, 2V |
| მიმდინარე - პიკის გამომუშავება (წყარო, ნიჟარა) | 500mA, 1A |
| შეყვანის ტიპი | - |
| მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) | 600V |
| აწევა / დაცემის დრო (ტიპი) | 35ns, 16ns |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 125°C (TA) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-SOIC |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
