| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| ორიენტირებული კონფიგურაცია | Low-Side |
| არხის ტიპი | Independent |
| დრაივერების რაოდენობა | 2 |
| კარიბჭის ტიპი | IGBT, N-Channel MOSFET |
| ძაბვა - მიწოდება | 4.5V ~ 18V |
| ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH | 1V, 2.3V |
| მიმდინარე - პიკის გამომუშავება (წყარო, ნიჟარა) | 5A, 5A |
| შეყვანის ტიპი | Inverting, Non-Inverting |
| მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) | - |
| აწევა / დაცემის დრო (ტიპი) | 7ns, 6ns |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 140°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 8-WDFN Exposed Pad |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-SON (3x3) |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
