| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | 2 P-Channel (Dual) |
| FET ფუნქცია | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 12V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 3.5A |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1V @ 1mA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 2600pF @ 6V |
| სიმძლავრე - მაქს | 650mW |
| ოპერაციული ტემპერატურა | 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 8-SMD, Flat Lead |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-TSST |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
