ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 25A (Ta) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 4.5V, 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.5V @ 1A |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (მაქს) | ±25V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1600pF @ 10V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 700mW (Ta), 30W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
პაკეტი / კორპუსი | 8-PowerVDFN |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |