ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | 2 N-Channel (Dual) |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 6A |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.3V @ 1mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 16nC @ 10V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 840pF @ 10V |
სიმძლავრე - მაქს | 450mW |
ოპერაციული ტემპერატურა | 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-SOP (5.5x6.0) |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |