ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | P-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 40V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 4V, 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2V @ 1mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (მაქს) | ±20V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 2180pF @ 10V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 1W (Ta) |
ოპერაციული ტემპერატურა | 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-SOP (5.5x6.0) |
პაკეტი / კორპუსი | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |