ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | 2 N-Channel (Dual) |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 39.1 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1V @ 1mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 310pF @ 15V |
სიმძლავრე - მაქს | 2W (Ta) |
ოპერაციული ტემპერატურა | 150°C |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 6-WDFN Exposed Pad |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 6-UDFN (2x2) |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |