ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | P-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 20V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 1.8V, 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1.2V @ 1mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 5.1nC @ 4.5V |
Vgs (მაქს) | ±12V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 210pF @ 10V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 1.2W (Ta) |
ოპერაციული ტემპერატურა | 150°C |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | S-Mini |
პაკეტი / კორპუსი | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |