| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | P-Channel |
| ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 60V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 400mA (Ta) |
| წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 4V, 10V |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2V @ 1mA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| Vgs (მაქს) | +20V, -16V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 82pF @ 10V |
| FET ფუნქცია | - |
| ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 1.2W (Ta) |
| ოპერაციული ტემპერატურა | 150°C |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | S-Mini |
| პაკეტი / კორპუსი | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
