ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 20V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 2.5V, 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 23.6 mOhm @ 9.9A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1.5V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (მაქს) | ±12V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1020pF @ 10V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | PowerPAK® SC-70-6 Single |
პაკეტი / კორპუსი | PowerPAK® SC-70-6 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |