ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | P-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | - |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 2.5V, 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1.2V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (მაქს) | ±12V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 2240pF @ 15V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 4-Microfoot |
პაკეტი / კორპუსი | 4-UFBGA |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |