| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| ტექნოლოგია | Capacitive Coupling |
| არხების რაოდენობა | 1 |
| ძაბვა - იზოლაცია | 3750Vrms |
| გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური) | 35kV/µs |
| გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს) | 60ns, 50ns |
| პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს) | 28ns |
| აწევა / დაცემის დრო (ტიპი) | 5.5ns, 8.5ns |
| მიმდინარე - გამომავალი მაღალი, დაბალი | 500mA, 1.2A |
| მიმდინარე - პიკური გამომავალი | 4A |
| ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი) | 2.8V (Max) |
| მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური) | 30mA |
| ძაბვა - მიწოდება | 6.5V ~ 30V |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 125°C |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-SOIC |
| დამტკიცებები | CQC, CSA, UR, VDE |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
