ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | 2 N-Channel (Dual) |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 4.9A |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 6.8A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1.6V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | - |
სიმძლავრე - მაქს | 1.3W |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | PowerPAK® 1212-8 Dual |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |