SI3812DV-T1-GE3

SI3812DV-T1-GE3

EDA / CAD მოდელები:
SI3812DV-T1-GE3 PCB კვალი და სიმბოლო
საფონდო რესურსი:
ქარხანა ჭარბი საფონდო / ფრანჩაიშირებული დისტრიბუტორი
Გარანტია:
1 წლიანი endezo გარანტია
აღწერილობა:
MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP More info
Datasheet:
SKU: #2d60327c-fe9b-a28b-cb60-f03bb0f8fb59

დაყოფა:  

პროდუქტის ატრიბუტები

ბეჭდვა აღწერილობა
ნაწილის სტატუსი
FET ტიპი
ტექნოლოგია
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss)
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული)
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs
Vgs (ე) (მაქს) @ Id
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs
Vgs (მაქს)
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds
FET ფუნქცია
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს)
ოპერაციული ტემპერატურა
სამონტაჟო ტიპი
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
პაკეტი / კორპუსი

გარემოსდაცვითი და საექსპორტო კლასიფიკაცია

Rohs სტატუსი Rohs compliant
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) Არ მიიღება
Lifecycle სტატუსი მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული
საფონდო კატეგორია ხელმისაწვდომი საფონდო

თქვენ ასევე მინდა