ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 8V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 4.53A (Ta), 6.04A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 1.5V, 4.5V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 7.05nC @ 5V |
Vgs (მაქს) | ±5V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 535pF @ 4V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 1.56W (Ta), 2.78W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | SC-70-6 (SOT-363) |
პაკეტი / კორპუსი | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |