ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | SiCFET (Silicon Carbide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 650V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 93A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 18V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 28.6 mOhm @ 36A, 18V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 5.6V @ 18.2mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 133nC @ 18V |
Vgs (მაქს) | +22V, -4V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 2208pF @ 500V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 339W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | 175°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | TO-247N |
პაკეტი / კორპუსი | TO-247-3 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |