| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | N-Channel |
| ტექნოლოგია | SiCFET (Silicon Carbide) |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 1700V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 3.7A (Tc) |
| წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 18V |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 4V @ 900µA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 14nC @ 18V |
| Vgs (მაქს) | +22V, -6V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 184pF @ 800V |
| FET ფუნქცია | - |
| ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 35W (Tc) |
| ოპერაციული ტემპერატურა | 175°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | TO-3PFM |
| პაკეტი / კორპუსი | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
