ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Not For New Designs |
---|---|
FET ტიპი | P-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 12V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 1.5V, 4.5V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1V @ 1mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
Vgs (მაქს) | ±10V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 2850pF @ 6V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 600mW (Ta) |
ოპერაციული ტემპერატურა | 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | TSMT6 (SC-95) |
პაკეტი / კორპუსი | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |