| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | P-Channel |
| ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
| წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 4V, 10V |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Vgs (მაქს) | ±20V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1000pF @ 10V |
| FET ფუნქცია | - |
| ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 550mW (Ta) |
| ოპერაციული ტემპერატურა | 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-TSST |
| პაკეტი / კორპუსი | 8-SMD, Flat Lead |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
