| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| FET ფუნქცია | Logic Level Gate, 4V Drive |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 3.5A |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | - |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 290pF @ 10V |
| სიმძლავრე - მაქს | 2.2W |
| ოპერაციული ტემპერატურა | - |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-SOP |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
