ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Not For New Designs |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 200V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 720 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 4V @ 1mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 9.3nC @ 10V |
Vgs (მაქს) | ±30V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 292pF @ 10V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 20W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | - |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | CPT3 |
პაკეტი / კორპუსი | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |