| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | 2 P-Channel (Dual) |
| FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 20V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 2.9A |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 103 mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 950mV @ 250µA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 8.1nC @ 4.5V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 514pF @ 10V |
| სიმძლავრე - მაქს | 515mW |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 6-UDFN Exposed Pad |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 6-HUSON-EP (2x2) |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
