ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
ტრანზისტორის ტიპი | PNP - Pre-Biased |
მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს) | 100mA |
ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს) | 50V |
რეზისტორი - ბაზა (R1) | 4.7 kOhms |
რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2) | 47 kOhms |
DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური) | 1µA |
სიხშირე - გარდამავალი | 180MHz |
სიმძლავრე - მაქს | 250mW |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 3-XFDFN |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | DFN1006B-3 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |