ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | 2 N-Channel (Dual) |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 60V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 260mA |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 2.8 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.1V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 1nC @ 10V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 23.6pF @ 10V |
სიმძლავრე - მაქს | 285mW |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 6-XFDFN Exposed Pad |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | DFN1010B-6 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |