ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 9.5A (Ta), 64A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 4.5V, 11.5V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.5V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Vgs (მაქს) | ±20V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1588pF @ 12V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 870mW (Ta), 41.7W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
პაკეტი / კორპუსი | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |