| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 10.3A, 13.3A |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 9.7nC @ 4.5V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1150pF @ 15V |
| სიმძლავრე - მაქს | 1.1W, 1.16W |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 8-PowerTDFN |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
