ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 60V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 5V, 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 50mA, 5V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 3V @ 1mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | - |
Vgs (მაქს) | ±20V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 50pF @ 25V |
FET ფუნქცია | Schottky Diode (Isolated) |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 200mW (Ta) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | SOT-363 |
პაკეტი / კორპუსი | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |