| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| ორიენტირებული კონფიგურაცია | Half-Bridge |
| არხის ტიპი | Independent |
| დრაივერების რაოდენობა | 4 |
| კარიბჭის ტიპი | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| ძაბვა - მიწოდება | 5V ~ 10V |
| ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH | 0.3V, 1.7V |
| მიმდინარე - პიკის გამომუშავება (წყარო, ნიჟარა) | 2A, 2A |
| შეყვანის ტიპი | Non-Inverting |
| მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) | - |
| აწევა / დაცემის დრო (ტიპი) | 7ns, 7ns |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -20°C ~ 125°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 16-VFQFN Exposed Pad |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 16-QFN (3x3) |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
