ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | P-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 12V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 1.8V, 4.5V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 0.9V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
Vgs (მაქს) | ±8V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 740pF @ 4V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | - |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | DFN2020-6J |
პაკეტი / კორპუსი | 6-WDFN Exposed Pad |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |