ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
ორიენტირებული კონფიგურაცია | Low-Side |
არხის ტიპი | Independent |
დრაივერების რაოდენობა | 2 |
კარიბჭის ტიპი | IGBT, SiC MOSFET |
ძაბვა - მიწოდება | 4V ~ 14V |
ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH | 2V, 4.25V |
მიმდინარე - პიკის გამომუშავება (წყარო, ნიჟარა) | 4A, 4A |
შეყვანის ტიპი | Inverting, Non-Inverting |
მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) | - |
აწევა / დაცემის დრო (ტიპი) | 40ns, 25ns |
ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-uMax-EP |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |