| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| ორიენტირებული კონფიგურაცია | Low-Side |
| არხის ტიპი | Independent |
| დრაივერების რაოდენობა | 2 |
| კარიბჭის ტიპი | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| ძაბვა - მიწოდება | 4.5V ~ 20V |
| ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH | 0.8V, 2.4V |
| მიმდინარე - პიკის გამომუშავება (წყარო, ნიჟარა) | 3A, 3A |
| შეყვანის ტიპი | Non-Inverting |
| მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) | - |
| აწევა / დაცემის დრო (ტიპი) | 11ns, 11ns |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-SOIC-EP |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
