| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Not For New Designs |
|---|---|
| ორიენტირებული კონფიგურაცია | Half-Bridge |
| არხის ტიპი | Independent |
| დრაივერების რაოდენობა | 2 |
| კარიბჭის ტიპი | N-Channel MOSFET |
| ძაბვა - მიწოდება | 4.5V ~ 5.5V |
| ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH | 1.76V, 1.89V |
| მიმდინარე - პიკის გამომუშავება (წყარო, ნიჟარა) | 1.2A, 5A |
| შეყვანის ტიპი | Non-Inverting |
| მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) | 107V |
| აწევა / დაცემის დრო (ტიპი) | 7ns, 1.5ns |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 12-WFBGA |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 12-µSMD (1.74x1.87) |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
