| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| ორიენტირებული კონფიგურაცია | Half-Bridge |
| არხის ტიპი | Synchronous |
| დრაივერების რაოდენობა | 2 |
| კარიბჭის ტიპი | IGBT, N-Channel MOSFET |
| ძაბვა - მიწოდება | 14.6V ~ 16.6V |
| ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH | 1.5V, 3.6V |
| მიმდინარე - პიკის გამომუშავება (წყარო, ნიჟარა) | 400mA, 650mA |
| შეყვანის ტიპი | Inverting |
| მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) | 600V |
| აწევა / დაცემის დრო (ტიპი) | 50ns, 30ns |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -45°C ~ 125°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-SO |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
