ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 1100V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 6.5V @ 8mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Vgs (მაქს) | ±30V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 14000pF @ 25V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 960W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Chassis Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | SOT-227B |
პაკეტი / კორპუსი | SOT-227-4, miniBLOC |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |