ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 600V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (მაქს) | ±30V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 2500pF @ 25V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 300W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | TO-247AD (IXFH) |
პაკეტი / კორპუსი | TO-247-3 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |