ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 500V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (მაქს) | ±30V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 2250pF @ 25V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 125W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | ISOPLUS220™ |
პაკეტი / კორპუსი | ISOPLUS220™ |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |