ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
ორიენტირებული კონფიგურაცია | Low-Side |
არხის ტიპი | Independent |
დრაივერების რაოდენობა | 2 |
კარიბჭის ტიპი | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
ძაბვა - მიწოდება | 4.5V ~ 35V |
ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH | 0.8V, 2.5V |
მიმდინარე - პიკის გამომუშავება (წყარო, ნიჟარა) | 4A, 4A |
შეყვანის ტიპი | Inverting |
მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) | - |
აწევა / დაცემის დრო (ტიპი) | 16ns, 13ns |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
პაკეტი / კორპუსი | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-PDIP |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |