ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
ორიენტირებული კონფიგურაცია | Half-Bridge |
არხის ტიპი | Independent |
დრაივერების რაოდენობა | 2 |
კარიბჭის ტიპი | IGBT, N-Channel MOSFET |
ძაბვა - მიწოდება | 10V ~ 35V |
ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH | 6V, 7V |
მიმდინარე - პიკის გამომუშავება (წყარო, ნიჟარა) | 4A, 4A |
შეყვანის ტიპი | Non-Inverting |
მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) | 650V |
აწევა / დაცემის დრო (ტიპი) | 23ns, 22ns |
ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 16-SOIC |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |