| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| ორიენტირებული კონფიგურაცია | Half-Bridge |
| არხის ტიპი | Independent |
| დრაივერების რაოდენობა | 2 |
| კარიბჭის ტიპი | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| ძაბვა - მიწოდება | 10V ~ 20V |
| ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH | 6V, 9.5V |
| მიმდინარე - პიკის გამომუშავება (წყარო, ნიჟარა) | 2A, 2A |
| შეყვანის ტიპი | Non-Inverting |
| მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) | 600V |
| აწევა / დაცემის დრო (ტიპი) | 9.4ns, 9.7ns |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
| პაკეტი / კორპუსი | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 14-DIP |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
