| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| ორიენტირებული კონფიგურაცია | Half-Bridge |
| არხის ტიპი | Independent |
| დრაივერების რაოდენობა | 2 |
| კარიბჭის ტიპი | N-Channel MOSFET |
| ძაბვა - მიწოდება | 8V ~ 14V |
| ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH | 1.4V, 2.2V |
| მიმდინარე - პიკის გამომუშავება (წყარო, ნიჟარა) | 3A, 4A |
| შეყვანის ტიპი | Non-Inverting |
| მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) | 114V |
| აწევა / დაცემის დრო (ტიპი) | 9ns, 7.5ns |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 10-WDFN Exposed Pad |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 10-TDFN (4x4) |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
