ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 12V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 84A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 2.8V, 4.5V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 15A, 4.5V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1.9V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 41nC @ 5V |
Vgs (მაქს) | ±12V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 2490pF @ 6V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 88W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 175°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | I-PAK |
პაკეტი / კორპუსი | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |