ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Not For New Designs |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 86A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 4.5V, 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.35V @ 50µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 23nC @ 4.5V |
Vgs (მაქს) | ±20V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 2150pF @ 15V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 75W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 175°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | D-Pak |
პაკეტი / კორპუსი | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |