ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 100V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 7.7A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 4V, 5V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 4.6A, 5V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 12nC @ 5V |
Vgs (მაქს) | ±10V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 490pF @ 25V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 42W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | D-Pak |
პაკეტი / კორპუსი | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |