ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 100V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 4V, 5V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 77 mOhm @ 17A, 5V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 64nC @ 5V |
Vgs (მაქს) | ±10V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 2200pF @ 25V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 3.7W (Ta), 150W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 175°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | D2PAK |
პაკეტი / კორპუსი | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |