ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 75V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 56A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 6V, 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 11.2 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 3.7V @ 100µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 89nC @ 10V |
Vgs (მაქს) | ±20V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 3107pF @ 25V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 99W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 175°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | IPAK (TO-251) |
პაკეტი / კორპუსი | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |