ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 150V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 5V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (მაქს) | ±30V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 4440pF @ 50V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 46W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | TO-220AB Full-Pak |
პაკეტი / კორპუსი | TO-220-3 Full Pack |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |