ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 25V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 9.9A (Ta), 21A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 4.5V, 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.35V @ 25µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 10.4nC @ 10V |
Vgs (მაქს) | ±20V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 653pF @ 10V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 2.1W (Ta) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 6-PQFN (2x2) |
პაკეტი / კორპუსი | 6-PowerVDFN |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |