ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | 2 P-Channel (Dual) |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 12V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 5.5A |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 900mV @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1984pF @ 6V |
სიმძლავრე - მაქს | 1W |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-TSSOP |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |