| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
|---|---|
| FET ტიპი | P-Channel |
| ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 20V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Ta) |
| წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 2.7V, 4.5V |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 700mV @ 250µA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Vgs (მაქს) | ±12V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 590pF @ 15V |
| FET ფუნქცია | - |
| ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 1.8W (Ta) |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | Micro8™ |
| პაკეტი / კორპუსი | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
